終わり:十分にAuをめっきすること。（十分にめっきするか、または選択的なめっきのAu。）
コーティングのめっき:パッケージ、ピン、ふたはめっきされる
溶接リング:HlAgCu28
NI:3~11.43um
Auヘッダーのめっき:≥1.0um
insはAuをめっきした:≥1.3um
基盤:Kovar
ろう付けリング:HlAgCu28
ガラス絶縁体:DM-305
ガラス絶縁体:DM-305
鉛:4J29
Hermeticity:漏出率は≤1*10-3Pa.cm3/sである
アイレット:4J29
鉛:4J29
ガラス絶縁体 D:DM-305
終わり:めっきされたNI 1-11.43um
絶縁抵抗:500V DCの抵抗
Hermeticity:漏出rate≤1*10-3Pa.cm3/s
キャビティ:CRS1010
Pin:4J50銅のコード
ガラス絶縁体:Elan#13
ろう付け:HlAgCu
管:4J29
ろう付けリング フレーム H:HlAgCu
基盤:Wu80Cu20
フレーム:4J29
Pin:4J29
底:CS1010
lead1:自由な銅をoxgyen
鉛:銅の芯を取られた合金
カバー プレート:4J42 （42alloy）
溶接リング:HlAgCu28
ガラス絶縁体 B:BH-C/K
製品名:非常にカスタマイズされた高周波マイクロウェーブ パッケージ
カバー プレート:4J42
貝材料:Kovar
