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材料:GaN
タイプ:GaN FS10、GaN FS15
オリエンテーション:C軸線（0001）の± 0.5°
素材:ガドリニウム ガリウム ガーネット（GGG）単結晶
成長方法:Czochralski方法
溶解ポイント（℃）:1800℃
